随着电子设备不断小型化和性能要求的提升，芯片中的晶体管数量持续增加，尺寸日益缩小，同时也带来了新的技术挑战，尤其是在介质材料方面。电子芯片中的介质材料主要起到绝缘的作用，但当传统的介质材料厚度减小到纳米级别时，其绝缘性能会显著下降，导致电流泄漏。这不仅增加了芯片的能耗，还导致发热量上升，影响了设备的稳定性和使用寿命。为了解决这一难题，科研团队开发了一种创新的金属插层氧化技术。

中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰介绍，以前的介质材料主要是用非晶的材料来做，我们这次主要是发明了晶体的介质材料，通过插层氧化的技术对单晶铝进行氧化，实现了单晶氧化铝作为介质材料，它在1纳米下能够实现非常低的泄漏电流。

中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员田子傲介绍，这个氧化铝是蓝宝石，虽然是人工合成的，但是它的晶体结构、介电特性、绝缘特性都是跟我们现实生活中的宝石的性能是一样的。这个就是我们最典型的一个器件结构，下面是锗的半导体材料，中间是介质，上面是金属，这是中间薄薄的一层，大概只有2个纳米，是我们人工合成的蓝宝石，可以看到它的界面非常清晰，非常光滑的界面也有助于它限制漏电流。

据介绍，通过采用这种新型材料，科研团队目前已成功制备出低功耗芯片器件，续航能力和运行效率得到大幅提升。这一成果不仅对智能手机的电池续航具有重要意义，还为人工智能、物联网等领域的低功耗芯片发展提供了有力支持。（总台央视记者帅俊全 褚尔嘉）

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